TSMC شرکت برتر و پیشرو دنیای تراشه است که هر روز اخباری را در مورد پیشرفت‌های آن در حوزه ساخت تراشه‌های کوچکتر می‌شنویم. در همین رابطه به تازگی اسنادی از شرکت TSMC در رابطه با فناوری 3 نانومتری ویژه این شرکت به بیرون درز کرده و جزئیات جدیدی از فناوری N3E تراشه‌ساز تایوانی را برملا کرده است.
پیش از این اعلام شده بود که تراشه ساز تایوانی تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری را از ماه سپتامبر (شهریور) آغاز خواهد کرد. اما تاکنون اطلاعات موثقی درباره وضعیت فناوری N3E که نسخه پیشرفته فرآیند 3 نانومتری TSMC محسوب می‌شود، منتشر نشده بود.
اما اکنون اسلایدی از درون این شرکت تایوانی به بیرون درز کرده که نشان می‌دهد که توسعه فناوری N3E به خوبی در حال پیشرفت بوده و جلوتر از برنامه‌ریزی‌ها به بهره‌برداری می‌رسد.
در حال حاضر بازدهی فناوری 3 نانومتری برابر 80 درصد عنوان شده و این در حالی است که انتظار می‌رود بازدهی N3E بیش از 92 درصد باشد. همچنین تراکم ترانزیستورها در این فناوری بهبود یافته که در نتیجه آن شاهد افزایش سرعت و کاهش مصرف انرژی تراشه‌های N3E خواهیم بود.
در حالی که TSMC همچنان استفاده از فناوری ساخت ترانزیستورهای FinFET برای فرایند ساخت 3 نانومتر را به پیش میبرد، سامسونگ میخواهد از معماری GAA (Gate-all-around) خود برای این نسل استفاده کند.
پیش از این اعلام شده بود که چگالی ترانزیستورها در فرآیند N3e شرکت TSMC تقریباً 8 درصد کمتر از N3 اصلی با چهار لایه EUV کمتر است. همانطور که میدانید دستگاه‌های EUV از پرتوهای فرابنفش برای کمک به ایجاد الگوهای مدار روی ویفرها استفاده می کنند. با توجه به تعداد ترانزیستورهایی که امروزه در داخل یک تراشه قرار می‌گیرند، این الگوهای مدار باید مانند پرتوهایی که آنها را ایجاد می‌کنند بسیار باریک باشند.
انتظار می‌رود TSMC تولید تراشه‌های N3 را از ماه بعد آغاز کند و در سه‌ماهه اول سال 2023 اولین سفارشها را به مشتریان تحویل دهد. به عبارت دیگر باید گفت که بازار برای ملاقات با اولین تراشه‌های این فناوریها باید تا سه ماهه سوم یا چهارم سال 2023 نیز صبر کند.
